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TN2130K1-G Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 300V 0.085A 3-Pin SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW THRESHOLD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 360mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 Ω @ 120mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 300V
Height 950μm
Width 1.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 1.437803g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 360mW Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 85mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.085A
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TN2130K1 69K CIs Calientes Especializados 2182
TN2130K1-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8403

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