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TN0110N3-G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 2 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 500μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 350mA
Drain-source On Resistance-Max 3Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 8 pF
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 453.59237mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ω @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Rise Time 3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "TN011"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TN011' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TN0110N3 SUPERTEX CIs Calientes Especializados 1324
TN0110N3-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2760
TN0110N3-G-P002 Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2655

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