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TC8220K6-G Especificaciones técnicas

Two Pair N- And P-channel Enhancement-mode Mosfet

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 12
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 12
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
FET Type 2 N and 2 P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 25V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
DS Breakdown Voltage-Min 200V
FET Feature Standard
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 12-VFDFN Exposed Pad
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Drain-source On Resistance-Max 7Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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TC8220K6-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3439

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