TC6321T-V/9U Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position DUAL
Reference Standard TS 16949
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ω @ 1A, 10V, 8 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V 200pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Drain-source On Resistance-Max 7Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form NO LEAD
JESD-30 Code R-PDSO-N8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A Ta
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
DS Breakdown Voltage-Min 200V
FET Feature Logic Level Gate
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TC6320K6-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 9510
TC6320K6-G Microchip Technology Matrices de transistores MOSFETs
TC6320TG HI CIs Calientes Especializados 5537
TC6320TG-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2272
TC6320TG-G Microchip Technology Matrices de transistores MOSFETs
TC6320TG-G MOS SUPERTEX CIs Calientes Especializados 1388
TC6321T-V/9U Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2643
TC6326AF Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1090

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