SST25VF064C-80-4I-Q2AE Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-WDFN Exposed Pad
Operating Temperature -40°C~85°C TA
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Voltage - Supply 2.7V~3.6V
Terminal Pitch 1.27mm
Operating Supply Voltage 3.3V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7V
Memory Size 64Mb 8M x 8
Memory Type Non-Volatile
Access Time 6 ns
Memory Interface SPI - Dual I/O
Organization 64MX1
Address Bus Width 1b
Standby Current-Max 0.00002A
Word Size 8b
Serial Bus Type SPI
Write Protection HARDWARE/SOFTWARE
Height 750μm
Width 6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tray
Series SST25
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Technology CMOS
Number of Functions 1
Base Part Number SST25VF064C
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6V
Interface SPI, Serial
Nominal Supply Current 12mA
Clock Frequency 80MHz
Memory Format FLASH
Data Bus Width 8b
Write Cycle Time - Word, Page 2.5ms
Density 64 Mb
Sync/Async Synchronous
Programming Voltage 2.7V
Endurance 100000 Write/Erase Cycles
Page Size 256B
Length 8mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'SST25' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SST25LF000A SST CIs Calientes Especializados 1553
SST25LF020A-33-4C SST CIs Calientes Especializados 2471
SST25LF020A-33-4C- SST CIs Especializados 5000
SST25LF020A-33-4C-QAE-T Micrel / Microchip Technology Memoria 2570
SST25LF020A-33-4C-QAE-TT078-T SSTPb-free CIs Calientes Especializados 3300
SST25LF020A-33-4C-SAE Micrel / Microchip Technology Memoria 2269
SST25LF020A-33-4C-SAE Microchip Technology Memoria
SST25LF020A-33-4C-SAE IC SST CIs Calientes Especializados 462
SST25LF020A-33-4C-SAE-T Micrel / Microchip Technology Memoria 151288
SST25LF020A-33-4C-SAE-T Microchip Technology Memoria

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