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MSCDC200A120D1PAG Especificaciones técnicas

1200V/Phase Leg/SiC Diode Modules

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Módulos de Diodo SiC
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Diode Configuration 1 Pair Series Connection
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 200 A
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C
Package Width or Size 95.0x34.80x17.5 mm
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 800 µA @ 1200 V
Device Weight (g) 160.0
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MSCDC100A120D1PAG Microchip Technology Módulos de Diodo SiC 586
MSCDC100KK120D1PAG Microchip Technology Módulos de Diodo SiC 108
MSCDC100KK170D1PAG Microchip Technology Módulos de Diodo SiC 98
MSCDC100KK70D1PAG Microchip Technology Módulos de Diodo SiC 128
MSCDC150A120D1PAG Microchip Technology Módulos de Diodo SiC 98
MSCDC150A70D1PAG Microchip Technology Módulos de Diodo SiC 118
MSCDC150KK120D1PAG Microchip Technology Módulos de Diodo SiC 98
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