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DN2470K4-G Especificaciones técnicas

Transistor MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin (2+Tab) TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 30 ns
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
Rise Time 45ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 45 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 700V
FET Feature Depletion Mode
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number DN2470
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 Ω @ 100mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 170mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 0.5A
Height 2.5146mm
Width 6.1mm
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DN2470K4-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5205
DN2470K4G SUPERTEX CIs Calientes Especializados 30

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