DN2450N8-G Especificaciones técnicas

3 SOT-89T/RMOSFET,DEPLETION-MODE,500V,10 Ohm

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW THRESHOLD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation 1.6W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ω @ 300mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA Tj
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 0.9A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Weight 52.786812mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0V
Continuous Drain Current (ID) 230mA
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
FET Feature Depletion Mode
RoHS Status ROHS3 Compliant
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DN2450K4-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2659
DN2450K4-G Microchip Technology Transistores MOSFET individuales
DN2450N8-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1767

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