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2N6661 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Microchip Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-39 |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 6.25W Tc |
Power Dissipation | 6.25W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA Tj |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 5V 10V |
Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Threshold Voltage | 800mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | 90V |
Drain to Source Resistance | 4Ohm |
Ambient Temperature Range High | 150°C |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Gold |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 24V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 350mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Input Capacitance | 50pF |
Rds On Max | 4 Ω |
Height | 6.604mm |
2N6661 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2N6661
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2N666" partes
Las siguientes partes incluyen '2N666'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N6660 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4579 |
2N6660 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4636 |
2N6660 | Micrel / Microchip Technology | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2294 |
2N6660-2 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1479 |
2N6660-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3125 |
2N6660-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
2N6660-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2503 |
2N6660-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
2N6660JAN02 | Vishay / Siliconix | Transistores - JFETs | 2699 |
2N6660JAN02 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - JFETs | 2786 |
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