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TN5335N8-G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Micrel / Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package TO-243AA (SOT-89)
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Package / Case TO-243AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA (Tj)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ohm @ 200mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 350V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TN5335K1-G Micrel / Microchip Technology Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3422
TN5335K1-G Microchip Technology Transistores MOSFET individuales
TN5335N8-G Microchip Technology Transistores MOSFET individuales

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