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DS1230W-100IND+ Especificaciones técnicas

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Maxim Integrated
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 100ns
Technology NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Memory Size 256Kb (32K x 8)
Memory Format NVSRAM
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Base Part Number DS1230W
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 3 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 28-EDIP
Package / Case 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type Through Hole
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 15 Weeks
Detailed Description NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 28-EDIP
Access Time 100ns
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DS1230AB-100 Maxim Integrated Memoria 2651
DS1230AB-100+ Maxim Integrated Memoria 2654
DS1230AB-120 Maxim Integrated Memoria 384
DS1230AB-120+ Maxim Integrated Memoria 2642
DS1230AB-120IND Maxim Integrated Memoria 2721
DS1230AB-120IND+ Maxim Integrated Memoria 2785
DS1230AB-150 Maxim Integrated Memoria 496
DS1230AB-150+ Maxim Integrated Memoria 2597
DS1230AB-200 Maxim Integrated Memoria 2607
DS1230AB-200+ Maxim Integrated Memoria 2634

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DS1230W-100IND+ fabricantes de marca: Maxim Integrated, Bonchip existencias, DS1230W-100IND+ precio de referencia. DS1230W-100IND+ parámetros, DS1230W-100IND+ Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el DS1230W-100IND+ Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar DS1230W-100IND+ diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, DS1230W-100IND+ tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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