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US6T9TR
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US6T9TR Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Power - Max | 400mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Supplier Device Package | UMT6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 320MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
US6T9TR Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para US6T9TR
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Hojas de datos
US6T9TR.pdf
Otros incluyen "US6T9" partes
Las siguientes partes incluyen 'US6T9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
US6T9 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3487 |
US6T9 TR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3595 |
US6T9TR | ROHM Semiconductor | Matrices BJT Transistores |
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