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US6M11TR Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 12V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package UMT6
Power - Max 1W
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A, 1.3A
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Otros incluyen   "US6M1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'US6M1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
US6M1 ROHM CIs Calientes Especializados 5302
US6M1 TCR ROHM CIs Calientes Especializados 30470
US6M1 TR ROHM CIs Calientes Especializados 5348
US6M11 ROHM CIs Calientes Especializados 13682
US6M11 TCR ROHM CIs Calientes Especializados 12631
US6M11TR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
US6M1TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 27200
US6M1TR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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