US6J2TR Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TUMT6
Power - Max 1W
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
US6J2 ROHM CIs Calientes Especializados 3401
US6J2 TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 9791
US6J2PAK Hamlin / Littelfuse Accesorios 2663
US6J2PAK Littelfuse Inc. Accesorios de Protección de Circuitos
US6J2TR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
US6J2TR IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3207

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