UMH3NTN Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 150mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package UMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Las siguientes partes incluyen  'UMH3N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMH3N Original CIs Calientes Especializados 5312
UMH3N H3 Original CIs Calientes Especializados 15000
UMH3NFHA LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
UMH3NFHATN LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2625
UMH3NFHATN ROHM Semiconductor Matrices BJT Transistores
UMH3NH3 CJ CIs Calientes Especializados 3000
UMH3NTN ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT
UMH3NTR ROHM CIs Calientes Especializados 6438

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