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UMG8NTR Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package UMT5
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "UMG8N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'UMG8N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
UMG8N ROHM CIs Calientes Especializados 1274
UMG8NFHATR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1776
UMG8NFSTR ROHM CIs Calientes Especializados 1805
UMG8NTR ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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