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UMF8NTR
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UMF8NTR Especificaciones técnicas
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 15V |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Supplier Device Package | UMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "UMF8N" partes
Las siguientes partes incluyen 'UMF8N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
UMF8N | ROHM | CIs Calientes Especializados | 6462 |
UMF8NTR | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores BJT |
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