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TT8U2TCR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Supplier Device Package 8-TSST
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "TT8U2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TT8U2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TT8U2 ROHM CIs Calientes Especializados 276226
TT8U2 FU7TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 6252
TT8U2 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 17880
TT8U2 TR ROHM CIs Calientes Especializados 14618
TT8U2FU7TL ROHM CIs Calientes Especializados 2254
TT8U2FU7TR ROHM CIs Calientes Especializados 3457
TT8U2TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 416

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