SP8M8FU6TB Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A, 4.5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SP8M8 ROHM CIs Calientes Especializados 1318
SP8M8 F TB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2702
SP8M8 FD5TB ROHM CIs Calientes Especializados 8150
SP8M8-TB R CIs Calientes Especializados 1312
SP8M8-TB. ROHM CIs Calientes Especializados 2563
SP8M8-TB. MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1553
SP8M8F ROHM CIs Calientes Especializados 2751
SP8M8F5DTB1 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 705
SP8M8FD5-TB1 ROHM CIs Calientes Especializados 2669
SP8M8FD5TB ROHM CIs Calientes Especializados 15233

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