SP8M6TB Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A, 3.5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SP8M6 ROHM CIs Calientes Especializados 1456
SP8M6 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 451
SP8M6 TB ROHM CIs Calientes Especializados 2904
SP8M6-TB R CIs Calientes Especializados 10354
SP8M6-TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16246
SP8M63-TB R CIs Calientes Especializados 10291
SP8M65-TB R CIs Calientes Especializados 18985
SP8M6FRATB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2737
SP8M6FRATB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SP8M6FU6TB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2590

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