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SP8M10FU6TB Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A, 4.5A
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Otros incluyen   "SP8M1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SP8M1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SP8M10 ROHM CIs Calientes Especializados 12776
SP8M10 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2775
SP8M10-TB VB CIs Calientes Especializados 10000
SP8M10FRA ROHM CIs Calientes Especializados 3379
SP8M10FRATB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SP8M10FU6TB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SP8M10TB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 13074
SP8M10TB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SP8M10TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10348
SP8M1FU7TB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1965

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