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SH8K3TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8K32 Rohm CIs Calientes Especializados 10762
SH8K32GZETB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K32TB R CIs Calientes Especializados 10433
SH8K32TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19291
SH8K32TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 4635
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K37GZETB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K39GZETB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K3TB ROHM CIs Calientes Especializados 16484
SH8K3TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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