SH8K2TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP (5.0x6.0)
Power - Max 2W
Package / Case 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8K22 ROHM CIs Calientes Especializados 2849
SH8K22GZETB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2635
SH8K22TB R CIs Calientes Especializados 10372
SH8K22TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 15322
SH8K22TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K25 ROHM CIs Calientes Especializados 2963
SH8K25GZ0TB ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8K26 ROHM CIs Calientes Especializados 15544
SH8K26 GZ0TB ROHM CIs Calientes Especializados 25000
SH8K26 GZOTB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3106

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