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SCT3120ALGC11 Especificaciones técnicas

MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.33mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 6.7A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -4V
Supplier Device Package TO-247N
Power Dissipation (Max) 103W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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Otros incluyen   "SCT31"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SCT31' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SCT3120ALGC11 ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
SCT3120ALGC11 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 512
SCT3160KLGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2707
SCT3160KLGC11 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1756

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