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SCT2080KEC Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 10A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 800V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -6V
Supplier Device Package TO-247
Power Dissipation (Max) 262W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Otros incluyen   "SCT20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SCT20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SCT2000CB-1 SIBERCORE CIs Calientes Especializados 655
SCT2001AS1G SCT CIs Calientes Especializados 1203
SCT2001ASIG SCT CIs Calientes Especializados 560
SCT2004SSOG STARCHIPS CIs Calientes Especializados 2771
SCT2007CSSG SCT CIs Calientes Especializados 5400
SCT2008CSSG SCT CIs Calientes Especializados 275
SCT2008SSSG STARCHIPS CIs Calientes Especializados 2291
SCT2016STSG Original CIs Calientes Especializados 2645
SCT2024AQNG SCT CIs Calientes Especializados 2519
SCT2024CSSG SCT CIs Calientes Especializados 1227

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