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RZE002P02TL Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package EMT3
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Package / Case SC-75, SOT-416
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "RZE00"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RZE002P02 ROHM CIs Calientes Especializados 2837
RZE002P02 TL ROHM CIs Calientes Especializados 878
RZE002P02GZ TL ROHM CIs Calientes Especializados 2308
RZE002P02TL ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RZE002P02TL MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150200

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