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RW1C025ZPT2CR
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RW1C025ZPT2CR Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±10V |
Supplier Device Package | 6-WEMT |
Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
RW1C025ZPT2CR Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RW1C025ZPT2CR
Otros incluyen "RW1C0" partes
Las siguientes partes incluyen 'RW1C0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RW1C015UN | VB | CIs Calientes Especializados | 168974 |
RW1C015UN MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 19332 |
RW1C015UN T2R | ROHM | CIs Calientes Especializados | 53100 |
RW1C015UN T2R IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 446 |
RW1C015UNT2R | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8459 |
RW1C015UNTR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 5500 |
RW1C020UN | ROHM | CIs Calientes Especializados | 7846 |
RW1C020UN T2R | ROHM | CIs Calientes Especializados | 11963 |
RW1C020UNFU7T2R | ROHM | CIs Calientes Especializados | 6144 |
RW1C020UNT2R | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8227 |
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