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RW1A030APT2CR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) -8V
Supplier Device Package 6-WEMT
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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Otros incluyen   "RW1A0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RW1A0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RW1A013ZP ROHM CIs Calientes Especializados 11428
RW1A013ZPT2CR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 6917
RW1A013ZPT2R LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 66869
RW1A020ZP ROHM CIs Calientes Especializados 7739
RW1A020ZP T2R ROHM CIs Calientes Especializados 12099
RW1A020ZP-T2R ROHM CIs Calientes Especializados 5000
RW1A020ZPFU7T2R ROHM CIs Calientes Especializados 22190
RW1A020ZPT2R LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 51276
RW1A020ZPT2R ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RW1A025AP ROHM CIs Calientes Especializados 49857

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