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RV1C002UNT2CL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 150mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package VML0806
Power Dissipation (Max) 100mW (Ta)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "RV1C0"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RV1C001ZP LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
RV1C001ZP T2L ROHM CIs Calientes Especializados 6983
RV1C001ZPT2L LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39990
RV1C001ZPT2L ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RV1C002UN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 461
RV1C002UN T2CL ROHM CIs Calientes Especializados 126251
RV1C002UNT2CL IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 7739
RV1C002UNT2CL MOSFETIGBTIC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 184303

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