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RUS100N02TB Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "RUS10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RUS10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RUS100 Ohmite Potenciómetros rotativos, Reóstatos 2674
RUS100E Ohmite Potenciómetros rotativos, Reóstatos 2701
RUS100N02 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 80373
RUS100N02TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19072
RUS10R Ohmite Potenciómetros rotativos, Reóstatos 2690
RUS10RE Ohmite Potenciómetros rotativos, Reóstatos 2569

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