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RUE003N02TL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 300mA, 4V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package EMT3
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Package / Case SC-75, SOT-416
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RUE002N02 ROHM CIs Calientes Especializados 5567
RUE002N02 TL ROHM CIs Calientes Especializados 3054
RUE002N02GZ ROHM CIs Calientes Especializados 6000
RUE002N02GZ TL ROHM CIs Calientes Especializados 2747
RUE002N02GZTL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 20666
RUE002N02TL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2912
RUE002N02TL ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RUE002N02TL MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 78404
RUE002N05 ROHM CIs Calientes Especializados 30348
RUE002N05 TL ROHM CIs Calientes Especializados 12828

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