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RUC002N05T116 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SST3
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
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Otros incluyen   "RUC00"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RUC00' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RUC002N03 ROHM CIs Calientes Especializados 3204
RUC002N05 ROHM CIs Calientes Especializados 141338
RUC002N05 GZ T116 ROHM CIs Calientes Especializados 782
RUC002N05 T116 ROHM CIs Calientes Especializados 10619
RUC002N05HZG ROHM CIs Calientes Especializados 12357
RUC002N05HZG 116 ROHM CIs Calientes Especializados 26638
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