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RU1C001ZPTL Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package UMT3F
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Package / Case SC-85
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RU1C001UN ROHM CIs Calientes Especializados 2439
RU1C001UN TCL ROHM CIs Calientes Especializados 31580
RU1C001UN TL ROHM CIs Calientes Especializados 13500
RU1C001UNTCL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5994
RU1C001UNTCL ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RU1C001UNTCL IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 23018
RU1C001UNTCL MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 9248
RU1C001ZP SK CIs Calientes Especializados 3476
RU1C001ZP TL ROHM CIs Calientes Especializados 3886
RU1C002UN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 65010

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