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RTQ035P02TR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "RTQ03"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RTQ030P02 VISHAY CIs Calientes Especializados 5577
RTQ030P02 TR ROHM CIs Calientes Especializados 3859
RTQ030P02FRA ROHM CIs Calientes Especializados 10100
RTQ030P02FRA MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3355
RTQ030P02TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30955
RTQ030P02TR ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RTQ030P02TR IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 679
RTQ035N03 ROHM CIs Calientes Especializados 121012
RTQ035N03 TR ROHM CIs Calientes Especializados 38850
RTQ035N03-TR ROHM CIs Calientes Especializados 762

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