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RT1E050RPTR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 5A TSST8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-TSST
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "RT1E0"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RT1E040RP ROHM CIs Calientes Especializados 3070
RT1E040RPTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27251
RT1E060XNTCR ROHM CIs Calientes Especializados 2921

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