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RSS130N03FU6TB Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RSS130N03 TB ROHM CIs Calientes Especializados 2895
RSS130N03 TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1901
RSS130N03-TB R CIs Calientes Especializados 19293
RSS130N03FRA ROHM CIs Calientes Especializados 3500
RSS130N03TB R CIs Calientes Especializados 1682
RSS130N03TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 18937
RSS130N3 ROHM CIs Calientes Especializados 2700

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