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RSS105N03TB Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RSS100N03 ROHM CIs Calientes Especializados 704
RSS100N03 TB ROHM CIs Calientes Especializados 2682
RSS100N03-TB R CIs Calientes Especializados 16144
RSS100N03-TB. ROHM CIs Calientes Especializados 4582
RSS100N03FD5TB ROHM CIs Calientes Especializados 3764
RSS100N03FRATB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2737
RSS100N03FRATB ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RSS100N03FU6TB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1814
RSS100N03FU6TB SOP8 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1986
RSS100N03FW3TB1 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2196

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