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RSS090P03TB Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RSS090 IC CIs Calientes Especializados 785
RSS090M03 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 26
RSS090N03 ROHM CIs Calientes Especializados 20944
RSS090N03 TB ROHM CIs Calientes Especializados 4872
RSS090N03-TB R CIs Calientes Especializados 16258
RSS090N03-TB. ROHM CIs Calientes Especializados 2667
RSS090N03-TBB ROHM CIs Calientes Especializados 2445
RSS090N03F TB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1311
RSS090N03FRA ROHM CIs Calientes Especializados 3500
RSS090N03FU6TB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 54689

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