RSR020N06TL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TSMT3
Power Dissipation (Max) 540mW (Ta)
Package / Case SC-96
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RSR020N06 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3420
RSR020N06 TL ROHM CIs Calientes Especializados 25298
RSR020N06FRA ROHM CIs Calientes Especializados 18268
RSR020P03 ROHM CIs Calientes Especializados 71660
RSR020P03 TL ROHM CIs Calientes Especializados 9600
RSR020P03FRATL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1939
RSR020P03TL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22783
RSR020P03TL ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RSR020P03TL MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 12235
RSR020P05 R CIs Calientes Especializados 40228

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