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RSH110N03TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RSH110N03TB ROHM CIs Calientes Especializados 2780
RSH110N03TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16190

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