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RSD100N10TL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 10A CPT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 133 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package CPT3
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Otros incluyen   "RSD10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RSD10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RSD100N10 ROHM CIs Calientes Especializados 50405
RSD100N10 TL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 7500
RSD100N10 TL IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 5421
RSD100N10FRA ROHM CIs Calientes Especializados 494

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