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RSD080N06TL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 8A CPT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package CPT3
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RSD080N06 ROHM CIs Calientes Especializados 10284
RSD080N06FRA ROHM CIs Calientes Especializados 323
RSD080P05 R CIs Calientes Especializados 10369
RSD080P05 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10800
RSD080P05FRA ROHM CIs Calientes Especializados 15829
RSD080P05FRA MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 578
RSD080P05TL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 567

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