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RS1E280GNTB Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 28A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-HSOP
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 31W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "RS1E2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RS1E2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RS1E200AH LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 23492
RS1E200BN ROHM CIs Calientes Especializados 882
RS1E200BN TB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 693
RS1E200BNFU7TB ROHM CIs Calientes Especializados 123915
RS1E200BNFU7TB IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1821
RS1E200BNTB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2706
RS1E200GN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 23667
RS1E200GNTB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9453
RS1E240BN ROHM CIs Calientes Especializados 88771
RS1E240BNFU7TB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 12500

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