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RS1E130GNTB
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RS1E130GNTB Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-HSOP |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 22.2W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RS1E130GNTB Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RS1E130GNTB
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Hojas de datos
RS1E130GNTB.pdf
Otros incluyen "RS1E1" partes
Las siguientes partes incluyen 'RS1E1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RS1E130GN | ROHM | CIs Calientes Especializados | 50369 |
RS1E130GNFU7TB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 7482 |
RS1E150AU | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 573 |
RS1E150GN | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 50421 |
RS1E150GNTB | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1989 |
RS1E170AH | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 192 |
RS1E170GN | QQ2850920316 | CIs Calientes Especializados | 702 |
RS1E170GNFU7TB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2747 |
RS1E170GNTB | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10125 |
RS1E180AH | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 147 |
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