RS1E130GNTB Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-HSOP
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RS1E130GN ROHM CIs Calientes Especializados 50369
RS1E130GNFU7TB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 7482
RS1E150AU LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 573
RS1E150GN LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 50421
RS1E150GNTB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1989
RS1E170AH LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 192
RS1E170GN QQ2850920316 CIs Calientes Especializados 702
RS1E170GNFU7TB ROHM CIs Calientes Especializados 2747
RS1E170GNTB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10125
RS1E180AH LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 147

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