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RRS110N03TB1
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RRS110N03TB1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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-
Hojas de datos
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Otros incluyen "RRS11" partes
Las siguientes partes incluyen 'RRS11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RRS110N03-TB | R | CIs Calientes Especializados | 10494 |
RRS110N03-TB MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 19002 |
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