RRS070N03TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) -
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RRS070N03-TB R CIs Calientes Especializados 17585
RRS070N03-TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 17979
RRS075P03 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1357
RRS075P03FD5TB1 ROHM CIs Calientes Especializados 2158
RRS075P03GTB1 ROHM CIs Calientes Especializados 697
RRS075P03GTB1 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2982
RRS075P03TB ROHM CIs Calientes Especializados 583
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