RRL025P03FRATR Especificaciones técnicas

PCH -30V -2.5A POWER MOSFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names RRL025P03FRACT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 10 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RRL025P03 R CIs Calientes Especializados 3312
RRL025P03 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 18882
RRL025P03 TCR ROHM CIs Calientes Especializados 12288
RRL025P03 TR ROHM CIs Calientes Especializados 5703
RRL025P03FRA LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 65000
RRL025P03TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1225

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