RRH075P03TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 650mW (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 7.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RRH070N03TB1 N/A CIs Calientes Especializados 2589
RRH075P03FU7TB1 ROHM CIs Calientes Especializados 2713
RRH075P03TB R CIs Calientes Especializados 18678
RRH075P03TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 18827

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