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RRE02VS6SGTR
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RRE02VS6SGTR Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
Supplier Device Package | TUMD2S |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | - |
RRE02VS6SGTR Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RRE02VS6SGTR
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Hojas de datos
RRE02VS6SGTR.pdf
Otros incluyen "RRE02" partes
Las siguientes partes incluyen 'RRE02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RRE02VS4S | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 249754 |
RRE02VS4S FH TR | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3430 |
RRE02VS4SFH | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
RRE02VS4SG TR | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6000 |
RRE02VS4SGTR | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 247199 |
RRE02VS4SGTR | ROHM Semiconductor | Rectificador de Diodo Monofásico | |
RRE02VS4STR | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2412 |
RRE02VS6S | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
RRE02VS6SFH | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
RRE02VS6SG | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3000 |
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