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RQ6E085BNTCR
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RQ6E085BNTCR Especificaciones técnicas
NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-457 |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Tc) |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.7nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RQ6E0" partes
Las siguientes partes incluyen 'RQ6E0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RQ6E030AT | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3222 |
RQ6E030AT TCR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3000 |
RQ6E030ATTCR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3391 |
RQ6E030SP | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3492 |
RQ6E035AT | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3484 |
RQ6E035ATTCR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3030 |
RQ6E035SP | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6448 |
RQ6E035TN | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3287 |
RQ6E035TN MOS | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6492 |
RQ6E040XNTCR | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3200 |
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